檢索結果:共6筆資料 檢索策略: "Yung-Chin Yang".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="郭俞麟"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition,CVD),為現在半導體製程薄膜階段主要方式,原因為優良的覆蓋率與可控制薄膜厚度,真空鍍膜的技術發展至今已經相當成熟,而本實驗將使用常…
2
3
本研究利用常壓電漿噴射束系統(Atmospheric Pressure Plasma Jet, APPJ)製備氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-doped CeO2, GDC)擴散阻障層(Dif…
4
本研究使用射頻磁控濺鍍設備(RF Magnetron Sputtering),並分為純氬氣與通入6.2 sccm與12.5 sccm氧氣氣氛,搭配CeO2靶材以功率100 W沉積氧化鈰薄膜於矽晶片、…
5
氧化釓摻雜氧化鈰(Gd2O3-Doped CeO2, GDC)固態電解質材料被認為最有潛力可取代傳統氧化釔安定氧化鋯(Yttria-Stabilized Zirconia, YSZ)電解質並應用於中…
6
本研究利用常壓噴射束電漿(Atmospheric pressure plasma jet, APPJ)製備氧化釓掺雜氧化鈰(Gd2O3-doped CeO2, GDC)奈米顆粒,並以硝酸鈰與硝酸釓混…